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大学物理实验, 2023, 36(3): 106-110     https://doi.org/10.14139/j.cnki.cn22-1228.2023.03.021
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基于 LabVIEW 与 TCAD 的 MOS 场效应晶体管虚拟仿真实验平台设计与实现
李 曼,张淳棠,刘安琪,郭宇锋,杨可萌,姚佳飞,张 珺
南京邮电大学 信息电子技术国家级虚拟仿真实验教学中心、电子科学与技术国家级实验教学中心,江苏 南京210023
Design and Realization of Virtual Simulation Experimental Platform ofMOS Field Effect Transistor Based on LabVIEW and TCAD
LI Man ,ZHANG Chuntang,LIU Anqi,CUO Yufeng*,YANG Kemeng,YAO Jiafei,ZHANG Jun
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摘要 

为了解决微电子科学与工程或集成电路设计与集成系统专业实验教学面临的难题,设计了基于 LabVIEW 与 TCAD 的 MOS 场效应晶体管虚拟仿真实验平台。 该平台可以实现 MOS 场效应晶体管的电学性能测试和参数提取,包括数据输入与存储、控制命令输出、数据采集与显示、报错与停止以及图形分析与提取。 该虚拟仿真实验平台为学生提供了良好的工程实践平台,具有操作简单和效率高的明显优势,能够充分调动学生的主观性并且帮助学生理解复杂问题。

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李 曼
张淳棠
刘安琪
郭宇锋
杨可萌
姚佳飞
张 珺
关键词:  MOS 场效应晶体管  虚拟仿真  实验平台  LabVIEW  TCAD     
Abstract: 

In order to solve the problems faced by microelectronics science and engineering or integratedcircuit design and integrated system professional experimental teaching, a virtual simulation experimentalplatform of MOS field effect transistor based on LabVIEW and TCAD is designed. The platform can realizeelectrical performance testing and parameter extraction of MOS field effect transistor.lt consists of data inputand storage ,control command output , data acquisition and display , error reporting and stopping , and graphicanalysis and extraction.The virtual simulation experiment platform provides students with a good engineeringpractice platform, with simple operation and high efficiency, which can fully mobilize students' subjectivity andhelp students understand complex problems.

Key words:  MOS field effect transistor    virtual simulation    experimental platform    LabVIEW    TCAD
               出版日期:  2023-06-25      发布日期:  2023-06-25      整期出版日期:  2023-06-25
ZTFLH:  TM-89  
引用本文:    
李 曼, 张淳棠, 刘安琪, 郭宇锋 , 杨可萌, 姚佳飞, 张 珺. 基于 LabVIEW 与 TCAD 的 MOS 场效应晶体管虚拟仿真实验平台设计与实现 [J]. 大学物理实验, 2023, 36(3): 106-110.
LI Man , ZHANG Chuntang, LIU Anqi, CUO Yufeng, YANG Kemeng, YAO Jiafei, ZHANG Jun. Design and Realization of Virtual Simulation Experimental Platform ofMOS Field Effect Transistor Based on LabVIEW and TCAD . Physical Experiment of College, 2023, 36(3): 106-110.
链接本文:  
http://dawushiyan.jlict.edu.cn/CN/10.14139/j.cnki.cn22-1228.2023.03.021  或          http://dawushiyan.jlict.edu.cn/CN/Y2023/V36/I3/106
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