基于二维范德瓦尔斯铁磁／ 反铁磁Fe3GeTe2/Fe1/3NbS2异质结交换偏置效应的实验研究

doi:10.14139/j.cnki.cn22-1228,2025.01.005

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摘要

交换偏置效应在磁性随机存储器和磁性隧道结等自旋电子学器件中具有广阔的应用前景。本文构建了二维范德瓦尔斯铁磁／反铁磁Fe3GeTe2/Fe1/3NbS2异质结器件，通过测试反常霍尔效应系统地研究了该器件的交换偏置效应。结果表明，所制备的异质结器件界面存在交换偏置效应，交换偏置场（Hex)随着温度的升高而逐渐减小，阻塞温度约为40K。此外，通过改变Fe3GeTe2的厚度，实现了对Fe3GeTe2/Fe1/3NbS2异质结构中交换偏置场的调控，最大|Hex|达到了4000e，交换偏置场随着铁磁层厚度的增加呈先增大后减小的趋势。

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关键词: 交换偏置铁磁/ 反铁磁异质结二维磁性

Abstract:

The exchange bias effeet has broad application prospeets in spintronie devices sueh as magnetierandom aecess memory and magnetie tunnel juneions.In this paper,a two-dimensional van der Waalsferromagnetie/antiferromagnetic Fe3GeTe2/Fe1/3NbS, heterostrueture device was construeted,and the exchangebias effect of the device was systematically investigated through the anomalous Hall elect measurements.Theresults show that there is an exehange bias effeet at the interaee of the heterostruetures deviee prepared , andthe exchange bias fiehd(HEX) gradually deereases with inereasing temperature,And the blocking temperature is about 40K.In addition ,by changing the thickness of Fe3GeTe2,the exchange bias field in the Fe3GeTe2/Fe1/3 NbS2 heterostructure was modulated ,with a maximum |HEX| of 4000e.The exchange bias field showed a trendof first inereasing and then deereasing with the increase in the thickness of the ferromagnetie layer.

Key words: exchange bias ferromagnetie/antilerromagnetie heterostructures two-dimensional magnetism

出版日期: 2025-02-25 发布日期: 2025-02-25 整期出版日期: 2025-02-25

ZTFLH:

G 642

引用本文:

罗和程, 李勇德 , 刘　萍 . 基于二维范德瓦尔斯铁磁／反铁磁Fe3GeTe2/Fe1/3NbS2异质结交换偏置效应的实验研究 [J]. 大学物理实验, 2025, 38(1): 25-29.
LUO Hecheng, LI Yongde, LlU Ping. Experimental Study on Exchange Bias Effeet based on Two-dimensional Van der Waals Ferromagnetic/antiferromagnetic Fe3GeTe1/Fe1/3NbS2 Heterostructures . Physical Experiment of College, 2025, 38(1): 25-29.

链接本文:

https://dawushiyan.jlict.edu.cn/CN/10.14139/j.cnki.cn22-1228,2025.01.005 或 https://dawushiyan.jlict.edu.cn/CN/Y2025/V38/I1/25

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